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被业界普遍称为“HBM（高带宽存储器）之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩近日在YouTube节目中发出惊人预言：“AI时代的主导权将从GPU转向存储器。”
金正浩表示，在人工智能时代，存储器的作用将越来越重要，英伟达未来甚至可能会收购存储器企业。他还特别指出HBF（高带宽闪存）的重要性正在凸显，预计到2026年初会有新进展，2027-2028年将正式登台。
当前传统硬盘（HDD）产业向热辅助磁记录（HAMR）技术转型艰难且初始成本高昂，近线固态硬盘（Nearline SSD）正以其更优的成本效益获得青睐。与此同时，HBF被视为突破AI集群存储容量瓶颈的关键技术。
在AI推理时代，存储器容量正变得空前重要。头部芯片厂商如何优化存储器使用已成为决定性能的关键因素。以键值缓存为例，它作为AI模型的“短期记忆”直接影响响应速度。金正浩认为HBF将携手HBM成为下一代主流存储器技术，推动半导体制造商增长。
从技术原理看，HBF与HBM都采用TSV硅通孔技术进行芯片垂直堆叠，但HBF使用NAND闪存实现，具有显著更大的容量和更低成本的优势。
西部数据与SK海力士已于2025年8月签署谅解备忘录，共同制定HBF技术标准并推动标准化进程，目标在2026下半年推出HBF样品，首批搭载HBF的AI推理系统预计2027年初问世。在10月中旬举办的2025 OCP全球峰会上，SK海力士更首次公开展示了采用HBF技术的AIN B系列存储器。
三星电子则据悉已启动HBF产品的早期概念设计，拟凭借在同类高性能存储技术方面的研发积累，应对数据中心市场对高带宽闪存的需求。不过该项目尚处于起步阶段，具体规格与量产时间表仍未最终确定。
金正浩强调，虽然NAND闪存速度慢于DRAM，但其容量可达DRAM的十倍以上。通过堆叠数百乃至上千个芯片层，HBF能够满足AI模型的海量存储需求——本质上成为基于NAND闪存的HBM。正如他在节目中大胆断言：“HBM时代正在终结，HBF时代即将来临。”
展望未来，金正浩为AI架构描绘出分层存储器生态蓝图：GPU内置的SRAM如同桌面的笔记本，容量最小但响应极速；HBM犹如触手可及的书架，保障即时调取与计算；HBF则堪比地下书库，储存AI的深层知识并持续向HBM输送数据；云端存储则像公共图书馆，通过光网络连接各地数据中心。他最终预见GPU将整合HBM与HBF形成互补结构——这标志着AI计算与存储器融合的新纪元。
HBF之后是什么？
值得注意的是，除了HBF，SK海力士还在研究HBS——高带宽存储。HBS通过结合移动DRAM与NAND闪存，可提升智能手机、平板等移动设备的AI性能。
报道援引消息人士解释，SK海力士通过堆叠低功耗宽I/O DRAM与NAND闪存构建HBS，最高可实现16层DRAM与NAND的堆叠。根据《韩国电子时报》的描述，这些芯片层通过垂直布线扇出（VFO）技术互连，显著提升了数据处理速度。
值得关注的是，这并非SK海力士首次应用VFO技术。SK海力士此前曾为苹果Vision Pro供应采用垂直布线扇出封装技术的DRAM，而新型HBS通过集成NAND闪存进一步拓展了该技术边界。
SK海力士介绍，2023年首次公开的VFO技术通过垂直连接导线替代传统弯曲布线，最大限度节约空间并降低功耗。这项技术还革新了大型扇出型晶圆级封装（WLP）——这种封装技术原本通过从芯片外部引线连接I/O端。
据SK海力士宣称，其垂直扇出设计带来显著提升：与传统设计相比导线长度缩短至1/4.6，电能效率提升4.9%。此外，该技术使封装高度降低27%，散热效率提高1.4%。
报告特别指出，与HBM不同，HBS不需要穿透芯片的硅通孔（TSV）工艺，因此具有更高良率和更低制造成本。采用DRAM与NAND堆叠的HBS最终将与应用处理器（AP）协同封装，并直接集成到移动设备中。报道据此分析，SK海力士开发HBS旨在满足智能手机、平板等移动平台对增强AI性能的迫切需求。
据《SISA JOURNAL》3月报道，SK海力士于2月向韩国知识产权局提交了“LPW NAND”商标申请——这项技术被认为与西部数据的高带宽闪存（HBF）技术相呼应。报道称，西部数据第一代HBF通过16层堆叠实现512GB容量，在提供类HBM带宽的同时将容量扩大8-16倍。
据业内人士介绍，HBF的商用至少要等到27/28年，而HBS的落地还要看客户的接受程度。目前还是停留在研究阶段。
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